Molekulaarkiire epitaksiatehnoloogia töötas Bell Laboratories välja 1970. aastate alguses vaakumriiete meetodi ja Arthuri uuringu alusel galliumi reaktsiooni kineetikana kui aatomi interaktsioon Gaas Surface'iga 1968. aastal. See soodustab uue põlvkonna pooljuhtteaduse ja tehnoloogia arengut ultrabaalsete kihtide mikrostruktuurimaterjalidel. Molekulaarkiire epitaksia (MBE) on painduv epitaksia õhuke kiletehnoloogia, mida saab väljendada kvaliteetsete õhukeste kilematerjalide või mitmesuguste vajalike konstruktsioonide genereerimisena, projitseerides aatomid või molekulaarsed talad, mis tekivad termilise aurustumise teel puhta substraadile, millel on teatud orientatsioon ja temperatuur ultra-taibas keskkonnas.
Molekulaarkiire epitaksia (MBE) süsteemi turu suuruse analüüs
Molekulaarkiire epitaksiaalsüsteem on oluline seade pooljuhtide ja fotogalvaaniliste uute materjalide ja protsesside uuringute jaoks. Molekulaarkiire epitaksiaalse süsteemi globaalne turu suurus ulatus 2020. aastal 81,48 miljoni dollarini ja eeldatavasti ulatub see 2026. aastal 111 miljoni dollarini, ühe liit kasvutempo (CAGR) 5,26%.
Euroopa on praegu klastri epitomiseeritud süsteemi maailma suurim tootmispiirkond ja eksport paljudesse maailma riikidesse, mida impordivad peamiselt import, ehkki tootmisvõimsusega tootjaid on vähe, kuid toode on ebapiisav ja vajab turgutavat toote väärtust turu hõivamiseks. Samal ajal on pooljuhtide ja materjalitööstuse väljatöötamisega klient esitanud rohkem kvaliteedinõudeid ja kõrgemaid tehnilisi näitajaid võtmeuuringutena ja tootmisseadmete molekulaarkiire epitaxy süsteemiks ning spetsifikatsiooni muutus muutub üha mitmekesisemaks. Molekulaarkiire epitaksiaalse süsteemi ettevõte peaks aktiivselt parandama toote kvaliteeti, muutes selle tooted atraktiivseks.
Peamised molekulaarsed kopitaksiaalsüsteemi tootjad on turul Ameerika VeeCoc, Riber ja Soome DCA ning levinum molekulaarsed fastiproni tooted on rohkem tooteid, näiteks Veeco, Riber ja Sienta omicron jne. Laser Molecular Beali süsteemi tootja hõlmab peamiselt Jaapani Pascalyt, Netherlands, mis on praegune, mis on praegune, mis on praegune, nothland, mis on esmasp. Müügiturg, turuosa on umbes 73%, laser molekulaarkiire epitaksiaalse süsteemi kasutatakse laialdaselt kile tõttu, mis sobib polüelemendi, kõrge sulamistemperatuuri ja keeruka kihi struktuuri kasvuks.
Molekulaarkiire epitaxy süsteemi kasutatakse peamiselt pooljuhtide ja põhimaterjalide uurimisel. Klastri epitaxy süsteemi peamine tarbija on riik, kus on täielikum tööstussüsteem, näiteks Euroopa, Ameerika Ühendriigid, Jaapan ja Hiina, mis moodustavad enam kui 80 protsenti maailma turust. Samal ajal on järk -järgult suurendanud sellised arengumaad nagu India, Kagu -Aasia ja muud viimased aastad ning tulevikus on turupotentsiaal suurem.
Globaalse majanduse ülemaailmne levik on osaliselt olnud tingitud maailmamajanduse ja pooljuhtide arengust, mida on ettevõtte mahutavusel ja järgneval turul raske tagada, mis on põhjustanud ka teatava raskusi mikroettevõtluse rühma tootmisel, näiteks ettevõtte esimesel poolel toimuva müügi langusest aasta esimesel poolel, nii et ettevõtte jaoks on vaja teha. Ehkki väliskeskkonna ja tööstuse konkurentsiprobleemid on olemas, usume, et pangatööstuse turuväljavaated on endiselt teatav arengu väljavaade ja tööstuse investeering kasvab jätkuvalt.
MBE vedela lämmastiku jahutusringluse süsteem
MBE -seadmed peavad olema kõrged ja kiired, nii et kamber tuleb jahutada. HL -il on täielik valik küpseid vedelaid lämmastik jahutusringluse süsteemilahuseid.
Vedela lämmastikuga jahutatud ringlussüsteem sisaldab vaakum isoleeritud (VI) torusid, VI painduvaid voolikuid, VI -ventiile, VI ringluse faasi separaatorit jne.
HL krüogeensed seadmed
1992. aastal asutatud HL -krüogeensed seadmed on Hiinas Chengdu Püha krüogeense seadme ettevõttele seotud bränd. HL -krüogeensed seadmed on pühendunud kõrge vaakumiga isoleeritud krüogeense torustiku ja sellega seotud tugivarustuse kavandamisele ja tootmisele.
Lisateabe saamiseks külastage ametlikku veebisaitiwww.hlcryo.comvõi e -kiriinfo@cdholy.com.
Postiaeg: 20. juuli-20122
